鍍膜過程偏壓的作用：



1，提高真空等離子體內(nèi)帶電粒子的能量，轟擊清洗工件表面（反濺射/刻蝕），使工件表面經(jīng)受高能粒子撞擊后得到嶄新的表層，從而提高后續(xù)沉積膜層的結(jié)合力。



2，提高并控制真空等離子體內(nèi)帶電粒子的能量，增加碰撞電離幾率，吸引帶電粒子加速，提高膜層與工件基體結(jié)合力。



3，靠不同的電壓輸出極性或方式改變沉積規(guī)則從而調(diào)整膜層顏色。



4，改變膜層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，改善膜層質(zhì)量。





鍍膜過程偏壓的分類：



1，直流負偏壓



在工件上加載直流負偏壓，使等離子體中的正離子獲得更大的能量，正離子加速度轟擊工件，還可以對從靶材表面被濺出來的等帶電離子進行某種程度的導向沉積。直流負偏壓連續(xù)無中斷，故對基片有一定的加熱升溫作用。



2，直流正偏壓



在離子鍍氣體放電中，氣相成核粒子會呈現(xiàn)一定的負電位，這種情況下工件加載一定的正偏壓，有利于膜層沉積。



3，脈沖偏壓

產(chǎn)生震蕩等離子體。在減小脈沖占空比的同時，提高脈沖電源的強度可使等離子體的密度和溫度增大和增高。對所有類型的基片（導電&不導電）轟擊效果增強。使得二次電子的生存時間增加，增大了碰撞機率，從而增加等離子體密度。調(diào)節(jié)脈沖頻率和占空比可控制沉積速率。調(diào)節(jié)脈沖頻率和占空比可控制溫升，可在低溫下成膜，避免擊損基片原有組織。對于多弧，由于沉積速率過快，不適合進行電子器件等精密工件的膜層沉積。引入脈沖偏壓可有效的改善。



4， 零偏壓與懸浮偏壓

在沒有帶電粒子參與的鍍膜過程（如簡單的蒸鍍等），可以選用零偏壓/懸浮偏壓。

耐受溫度較低的工件（如塑料件等）鍍膜時，為了防止工件變形，可以選用零偏壓/懸浮偏壓或選用小占空比低幅值偏置電壓。
【返回列表】